Science:高导电性和弹性纳米膜,用于皮肤电子
一、文章概述
二、图文导读
图1.使用浮动组装方法制造高导电性和可拉伸的纳米膜。
(A和B)溶液注入过程的示意图。
(A)制造开始于将纳米复合溶液注入水中。该溶液由纳米材料组成,
溶于水不混溶的溶剂和乙醇中的水不溶性弹性体。
(B)由于Marangoni流动,纳米复合溶液的质量沿水面扩散,导致NW的单层组装。
(C到F)在宏观视图(顶部)中显示NW的紧密堆积过程的示意图,索引蓝色框内的放大视图(中间),以及索引红色框中更放大的横截面视图(底部)。
(C)在溶液注入过程后,组装的质量覆盖了整个水面。
(D)在中心加入几滴表面活性剂。
(E)表面活性剂将物质(即NW、弹性体和溶剂)向外推。溶剂在室温下迅速蒸发。
(F)部分嵌入超薄弹性体基质的组装NW单层留在水面上。
图2.纳米膜的结构和机械特性。
(A到C)显示超薄纳米膜结构的显微图像。
(A)纳米膜中紧密堆积的NW的SEM图像(顶视图)。
(B)纳米膜横截面的放大SEM图像。
(C)固定在超薄弹性体层中的组装NW的高倍TEM图像。NW之间的弹性体楔形用黄色箭头标记。
(D)描述其详细结构和尺寸的纳米膜横截面示意图。
(E到G)照片显示了在250%应变(F)和500%应变(G)下原始状态(E)和拉伸状态下独立式纳米膜的高弹性。
(H到J)SEM图像(顶视图)显示纳米膜的每个状态。
(K到M)SEM图像显示了图2中纳米膜的每个状态,H到J。指出了NW(黄色)和NW下(天蓝色)之间的弹性体厚度。横截面SEM图像中的虚线显示了SEBS和处理晶片之间的界面。铂(Pt)沉积在顶部以在离子铣削过程中保护NW。
图3.图案化纳米膜在冷焊和堆叠后的电性能。
(A和B)使用光刻技术对纳米膜进行高分辨率图案化。
(A)图案化过程的示意图。
(B)具有20毫米线和空间图案的纳米膜的SEM图像。
(C和D)示意图(横截面图)和TEM图像[顶视图和横截面视图(插图)](C)冷焊前和(D)后。
(E)冷焊后导电性增强。平行和垂直表示相对于NW方向的测量方向(n=5,平均值±SD)。
(F)施加应变下的归一化电阻。实线代表弹性基材上的纳米膜,虚线代表没有基材的自立式纳米膜。红色虚线表示基材发生机械故障的点。
(G到I)对齐堆叠两个纳米膜后的性能改进。
(G)两个堆叠纳米膜的示意图。
(H)堆叠纳米膜的电导率,取决于测量方向(n = 5)。
(I)在弹性基材上两个拉伸方向施加应变下的归一化电阻。
(J到L) 垂直堆叠后电导方向性的去除。
(J)两个堆叠纳米膜的示意图。
(K)堆叠纳米膜的电导率与单层纳米膜的电导率相比,取决于测量方向(n = 5)。
(L)在弹性基材上在不同拉伸方向上测量的外加应变下的归一化电阻。
三、论文信息
Highly conductive and elastic nanomembrane for skin electronics |
Science (IF=47.728) |
Pub Date : 2021-08-27 |
DOI: 10.1126/science.abh4357 |
Dongjun Jung†, Chaehong Lim†, Hyung Joon Shim†, Yeongjun Kim, Chansul Park, Jaebong Jung, Sang Ihn Han, Sung-Hyuk Sunwoo, Kyoung Won Cho, Gi Doo Cha, Dong Chan Kim, Ja Hoon Koo, Ji Hoon Kim, Taeghwan Hyeon*, Dae-Hyeong Kim* |
Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul 08826, Republic of Korea.; School of Chemical and Biological Engineering, and Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea.
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